صفحه محصول - پاورپوینت کامل و جامع با عنوان ترانزیستورهای ماسفت (MOSFET) و تکنولوژی CMOS در 101 اسلاید

متداول ترین FET با گیت ایزوله شده که در کاربردهای مختلفی به کار می رود، ترانزیستور اثر میدانی نیمه رسانای اکسید فلز یا ماسفت (MOSFET) است. IGFET یا MOSFET یک ترانزیستور اثر میدان کنترل شده با ولتاژ است که با JFET تفاوت دارد و این تفاوت، یک الکترود گیت «اکسید فلز» است که از نظر الکتریکی نسبت به نیمه هادی اصلی کانال N یا کانال P با یک لایه بسیار نازک از ماده عایق کننده (معمولاً اکسید سیلیکون) جدا شده است.

این الکترود گیت فلز ایزوله شده بسیار نازک را می توان به عنوان یک صفحه خازن در نظر گرفت. ایزولاسیون گیت کنترل سبب می شود مقاومت ورودی ماسفت بسیار بزرگ و در محدوده مگااهم باشد.

ماسفت ها قطعاتی با سه ترمینالِ گیت (Gate)، درین (Drain) و سورس (Source) هستند. این قطعات در انواع ماسفت کانال P یا PMOS و ماسفت کانال N یا NMOS و به دو فرم اساسی در دسترس هستند.

فهرست مطالب:

مقدمه

ساختار ترانزیستور ماسفت

نحوه عملکرد

ایجاد کانالی برای عبور جریان

ترانزیستور NMOS

اعمال ولتاژی کوچک به درین و سورس

رابطه جریان و ولتاژ

افزایش ولتاژ VDS

اشباع ترانزیستور

رابطه جریان و ولتاژ ترانزیستور

جریان در ناحیه تریود

جریان در ناحیه اشباع

تکنولوژی زیر میکرونی

ترانزیستور PMOS

ترانزیستور CMOS

شمای ترانزیستورها

عملکرد در ناحیه زیر آستانه

مشخصه ID-VDS

مقاومت کانال

اثر محدود بودن مقاومت خروجی

اثر تغییر طول کانال در مقدار جریان

مقاومت خروجی

مدل ترانزیستور با در نظر گرفتن مقاومت خروجی

اثر بدنه

اثر حرارت

شکست و محافظت از ورودی

مدارات ماسفت در حالت DC

و...